比较两种结晶过程
信息来源:本站 | 发布日期:
2018-01-16
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关键词:结晶过程
晶器配件一般会被设计为在间歇或连续运行,间歇的话通常更容易控制,更灵活,可以在很宽的条件范围内操作。连续的话生产速度快,因此,受到青睐,但总体上来说,两种还是各有优缺点。
结晶器厂家介绍间歇结晶过程有很多的控制选项,一般来说,关键的参数包括过饱和在冷却方面生成的速率,还有蒸发或增加率,下面的就以采用冷却速度为例。
大晶体的生产,总体战略是形成相对较少的,然后种植这些,晶核形成的条件下,减少进一步的尺寸。通常,这意味着冷却液直到它进入介稳区,这个时候就可以添加,或溶液慢慢冷却,直到达到稳定区和初级成核发生。由于晶体生长和表面积增大,溶质将耗尽越来越迅速,冷却速度可以增加保持过饱和水平在介稳区中间的某个地方。
结晶器厂家介绍连续结晶过程更简单,因为它们的工作在稳定。可调参数通常是进给速度(因此停留时间)和过饱和生成率,如果处理分类是可能的,那么需要控制这些额外的。作为一个结果,连续结晶更容易控制,但只能在相对狭窄的范围的条件下工作。